JA8CMY ２４９ＧＨｚ　フリップチップ型のバラクタダイオードを使った逓倍器を実験報告 　Apr/12/2009

各局こんにちわ、札幌の増田です 最近はＥＭＥ用の機器ばかり手がけていますが、１０ＧＨｚ帯で５０Ｗ出力のＴＲＶが完成しました。 ８月から始めたのですが、途中で軽量化のため組み直しをして３ケ月以上もかかりました。 パワーアンプには１５Ｗ出力のＦＥＴを４個並列運転し飽和出力が５２〜５３Ｗ程度になりました。 総重量は３Ｋｇと、フイードホンの近くに設置可能な重さです。 １０ＧＨｚでは合成器のパターンも小さくなり調整が結構難しいのと蓋を開けての調整では放射電力も大きく、 短時間でも手や指がだるくなるような感じになります。 銅の網で出来た手袋が必要ですね 目には特に危険なのでなるべく顔をそむけて行いました。 顔にも網の防護面等があれば良いのですが・・・・ １０ＧＨｚのＥＭＥは海外の周波数が１０．３６８ＧＨｚで国内は１０．４５ＧＨｚだそうです。 ＬＯが２周波になりますので、ＬＯのスプリアスを除去するのに同軸型２個と導波管型を１個と かなり大げさになってしまいました。 来年にはＧａＮ型の５０ＷＦＥＴの開発計画あるようですので、１０ＧＨｚ　１００Ｗアンプも可能になりそうです。 増田　幸雄