JA8CMY １．２ＧのＥＭＥ用ＰＯＷアンプ実験報告 　Jul/09/2008

各局 札幌の増田です ５月から手がけていた、１．２ＧのＥＭＥ用ＰＯＷアンプがようやく完成しました。 ＬＤＭＯＳ ＦＥＴの８合成方式です。 先に製作した４合成方式では、５００Ｗを安定して出すには少し力不足だったので８合成とし余裕をもって ＰＯＷを出せるアンプを目標にしました。 入力２４．５Ｗで、冷えているときでは８８０Ｗの出力ですが、１秒間隔の断続送信で、 ５分後には７８０Ｗ程度まで低下します。 放熱は４０角のＦＡＮ １２個で冷却していますがまだ不足のようです。 電源電圧２８Ｖで７１Ａ程流れ、効率は約４０％です。 ＦＥＴの能力では９０Ａ程度まで流せますが、放熱不足なので入力をおさえて軽く動作させました。 このアンプはプリント基板でどの程度のＰＯＷまで対応できるのか確認 （腕試しの意味もあり）のために取り組んだもので、今回の結果から、１．２ＧＨｚ帯では　１ＫＷでも問題なさそうです。 出力のコネクタもＮ型ですが問題ありませんでした。 現在のＦＥＴは過入力に弱いので、今後は別なメーカのＦＥＴの使用を考えています。 このアンプは引き取り先が決まりました。 増田　幸雄