ＹＱＰ−ＭＬ 各局
投稿 JA８CMY 増田
しばらく メーリングに投稿しておりませんでしたので最近完成した１．２GHｚ帯 EME用 大電力アンプを紹介します。
このアンプは製作依頼を受けて手がけたものです。
使用したデバイスは大電力アンプでよく使われるLD−MOSFETでUSA インフィニオン（元はスエーデンの
エリクソン社）製PTF14150の４パラ運転です（150W出力デバイス）
このFETは １．４５GHｚ〜１．６GHｚ帯の内部整合型ですが１．２GHｚでも何とか整合できました。
FET１個で試作回路を組んで定数を決めてから２合成の回路を製作し、
２合成で３００Wずつ出るように調整後４合成しました。
性能は 入力１３．５Wで、５７０W出力でした。
もう少し入力を大きくすれば何とか６００Wは到達しそうですが無理をしてデバイスを壊しては元も子も無いので
試しておりません。
DCの入力も大きく、５７０Wでは ２８Vで４５A程度流れます。
基板は０．８ｍｍのテフロン基板ですが、最後の合成部分は２枚重ねにして、基板厚を１．６ｍｍとして、
合成器パターンを太くして、
大電力に耐えるようにしています。
大電力のATTが無いので ８D-2Wの同軸コード５０ｍをATT代わりに使いました。
コードは短時間でも暖かくなります。
周波数特性はブロードで、1.2GHzの全帯域をカバーしています。
１．２GのEMEでは真空管を使った局が多いようですが、調整しながらの運用でわずらわしいかったり、
冷却に水を使用する場合もあり高圧の漏電等で扱いにくいようですので、
今後は半導体アンプが主流になるのではと思います。
増田 幸雄
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