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JA8CMY 249GHz フリップチップ型のバラクタダイオードを使った逓倍器を実験報告  Apr/12/2009
各局こんにちわ、札幌の増田です

最近はEME用の機器ばかり手がけていますが、10GHz帯で50W出力のTRVが完成しました。
8月から始めたのですが、途中で軽量化のため組み直しをして3ケ月以上もかかりました。
パワーアンプには15W出力のFETを4個並列運転し飽和出力が52〜53W程度になりました。
総重量は3Kgと、フイードホンの近くに設置可能な重さです。

10GHzでは合成器のパターンも小さくなり調整が結構難しいのと蓋を開けての調整では放射電力も大きく、
短時間でも手や指がだるくなるような感じになります。
銅の網で出来た手袋が必要ですね
目には特に危険なのでなるべく顔をそむけて行いました。
顔にも網の防護面等があれば良いのですが・・・・

10GHzのEMEは海外の周波数が10.368GHzで国内は10.45GHzだそうです。
LOが2周波になりますので、LOのスプリアスを除去するのに同軸型2個と導波管型を1個と
かなり大げさになってしまいました。
来年にはGaN型の50WFETの開発計画あるようですので、10GHz 100Wアンプも可能になりそうです。

増田 幸雄